pn结是什么图片_pn结是什么图片

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华为公司取得PN结及调制器专利,提高调制效率满足更高光信号调制...正文:金融界11月7日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司取得一项名为“PN结及调制器”,公开号CN113629129B,专利申请日期为2020年。专利摘要显示,本申请实施例提供一种PN结及调制器。PN结通过所述N型区域位于所述第二P型区域中,且所述N型区域的延伸方向垂直...

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用于光通信与光计算,我国在国际上首创新型场效应调控光电二极管钛媒体App 5月6日消息,从中国科学技术大学获悉,该校孙海定教授课题组与武汉大学刘胜院士团队合作,在国际上首次提出了新型三电极光电PN结二极管结构,构筑载流子调制新方法,实现了第三端口外加电场对二极管光电特性的有效调控。相关研究成果日前在线发表于期刊《自然•电子...

扬杰科技申请一种保护沟槽栅氧的SiCUMOSFET器件及制备方法专利,...本发明在SiC UMOSFET中形成了PN结二极管和肖特基二极管两种结构,使得SiC UMOSFET在续流过程中肖特基二极管打开,作为泄流路径,降低了续流损耗,而在通过大浪涌电流时,PN结二极管打开,作为另一泄流路径,提高了器件的抗浪涌电流能力。并且本发明中沟槽区表面的P区也避免...

南玻A申请绿色多晶电池片制备方法专利,使用等离子体增强化学气相...包括以下步骤:对多晶硅片依次进行表面制绒、扩散制备PN结、酸刻蚀去除磷硅玻璃层和通过臭氧形成二氧化硅薄膜;采用等离子体增强化学气相沉积方法二氧化硅薄膜的表面依次沉积第一氮化硅薄膜、第二氮化硅薄膜和第三氮化硅薄膜,经丝网印刷烧结电注入,得所述绿色多晶电池片。...

⊙▂⊙ 比亚迪申请电极及其制作方法、电化学装置专利,可在满足快充性能或...活性层包括导电层和混合在导电层中的多个PN结,PN结包括P型硅与P型硅连接的N型硅,P型硅指向N型硅的方向为第一方向,多个PN结中,预定数量的PN结的第一方向的分量与集流体的法向重合。通过设置活性层包括导电层和混合在导电层中的多个PN结,并设置预定数量的PN结的第一方...

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华体科技申请切换式LED模组专利,增加紫外LED灯的适用场景N端及位于其间的PN结,其P端与N端分别通过导线连接有引脚;至少一个照明发光体,包括P端、N端及位于其间的PN结,其P端与N端也分别通过导线连接引脚,且照明发光体与紫外发光体连接同侧引脚的两端属性相异。切换式LED模组包括:升降板,竖向移动设置,LED灯在升降板上表面阵列...

1985年,美国发起了第一次芯片战争,搞垮了日本半导体产业1946年,威廉.肖克利的研发小组成功研发PN结型晶体管,结型晶体管是现代晶体管的始祖,真正意义上开启了全球半导体技术的发展方向,这个用来代替真空管的电子信号放大元件,成为电子工业的强大引擎,被媒体和科学界称为“20世纪最重要的发明”。1955年,肖克利来到了硅谷,创立了...