pn结的形成示意图_pn结的形成示意图

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北京大学申请一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法...本发明公开一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法,属于宽禁带半导体材料领域。本发明通过在重掺p型GaN层靠近刻蚀边界处进行氢等离子体处理,使H离子与重掺p型GaN层中Mg受主形成Mg‑H复合体,同时采用热退火处理使H离子在重掺p型GaN中扩散,形成在主结区至...

阿斯利康(AZN.US)反义疗法“Eplontersen”在华申报上市CDE网站显示,阿斯利康(AZN.US)的反义疗法Eplontersen(IONIS-TTR-LRx,商品名:Wainua)在华申报上市,用于治疗遗传性转甲状腺素介导的淀粉样变性多发性神经病(ATTRv-PN)。ATTRv-PN可在确诊后五年内导致周围神经损伤并伴有运动障碍,如果不进行治疗,患者通常会在十年内死亡。...

∪▽∪ 隆基绿能取得太阳能电池和太阳能组件专利,解决PN短路问题优化太阳...导致PN短路相接,进而影响太阳能电池性能的问题。所述太阳能电池包括:位于N半区的N半区电极结构和位于P半区的P半区电极结构。电池本体具有倒角,N半区电极结构具有与位于N半区的倒角平行分布的第一部分,P半区电极结构具有与位于P半区的倒角平行分布的第二部分。第一部分...

天合光能申请太阳能电池及其制备方法专利,降低生产成本包括:在形成有PN结的硅基底层上,在PN结背离硅基底层的表面形成第一硅玻璃薄膜;将第一硅玻璃薄膜对应第一区域的部分去除,形成第一硅玻璃图案;在第一表面且位于第一区域形成第一隧穿氧化层;采用沉积工艺和等离子体刻蚀工艺,在第一硅玻璃图案和第一隧穿氧化层背离硅基底层的...

《ESG Weekly》:绿色硅潮:硅料硅片行业在碳中和目标下的转型之路光伏电池的主要原理是在硅片上形成PN结,将太阳光转换为电能,因此,硅料(多晶硅)是制造太阳能电池板的核心材料。据《财富商业洞察》分析,中国得益于完善的硅行业及低成本劳动力和煤炭的供应,目前在硅料市场的制造和出口上具主导地位,约占全球产量的80%。主要制造商包括大全...

＞０＜ 扬杰科技申请一种保护沟槽栅氧的SiCUMOSFET器件及制备方法专利,...本发明在SiC UMOSFET中形成了PN结二极管和肖特基二极管两种结构,使得SiC UMOSFET在续流过程中肖特基二极管打开,作为泄流路径,降低了续流损耗,而在通过大浪涌电流时,PN结二极管打开,作为另一泄流路径,提高了器件的抗浪涌电流能力。并且本发明中沟槽区表面的P区也避免...

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南玻A申请绿色多晶电池片制备方法专利,使用等离子体增强化学气相...包括以下步骤:对多晶硅片依次进行表面制绒、扩散制备PN结、酸刻蚀去除磷硅玻璃层和通过臭氧形成二氧化硅薄膜;采用等离子体增强化学气相沉积方法二氧化硅薄膜的表面依次沉积第一氮化硅薄膜、第二氮化硅薄膜和第三氮化硅薄膜,经丝网印刷烧结电注入,得所述绿色多晶电池片。...

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˙△˙ ...选择性发射极相关专利,减少因激光掺杂损伤磷硅玻璃层而导致的过抛入 PN 结中,得到选择性发射极,其中,氧化性气氛中所含的氧化性气体为氧气和臭氧中的至少一种。本发明中,激光掺杂时在气氛中引入氧气或臭氧,对受到损伤的磷硅玻璃层进行修复,以减少轻掺杂区域损伤的面积,进而有利于减少因激光掺杂损伤磷硅玻璃层而导致的过抛。本文源自金融界

西部航空再通报飞机发现带血湿巾:受检者相关病毒检测结果正常一女子在飞机上发现“带血湿纸巾”一事引发关注。女乘客对记者介绍称,8月25日中午1:10左右,她登上从乌鲁木齐飞往重庆江北机场的PN6270航班,上飞机后,她掏出防晒口罩和眼罩放在前排座椅的置物袋中,“那时尚未注意到那个带血的湿纸巾。”她说,飞行到一半时感到有些口渴,遂...