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时间:2024-02-24 16:30 阅读数:6983人阅读
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类 3D NAND 设计,Neo 半导体推出 3D X-DRAM:8 倍密度、230 层IT之家 5 月 10 日消息,总部位于美国的 3D NAND 闪存厂商 Neo Semiconductor 近日推出了 3D X-DRAM 存储芯片,声称是全球首个采用类似于 3D NAND 的 DRAM,其容量明显超过当前的 2D DRAM 解决方案。3D X-DRAM 存储的首个版本实现了 128 Gb,每个芯片 230 层,密度比目前的...
萨洛蒙XA Pro 3D:我的户外新伙伴我选择了230内长的鞋子,虽然比我自己脚长220的尺寸大一些,但是穿起来却非常合适。鞋面的sensifit科技和快速系带系统让我在行走过程中感到非常舒适,而且鞋面和鞋底的紧密贴合让我在复杂地形中也能保持稳定。鞋的保护性能。虽然中底脚感偏硬,但是对于我这种脚踝有旧伤的人来...
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内存条大小可以超硬盘,DRAM 内存进入 3D 时代NEO 半导体宣布将推出全球首款 3D DRAM 原型,解决 DRAM 容量瓶颈。3D DRAM 用到的是 3D X-DRAM 技术,原理与 3D NAND Flash 类似,通过堆叠层数提高容量。NEO 承诺 2025 年将推出第一代 3D X-DRAM 产品,首代产品就有 230 层堆叠,核心容量 128GB。更夸张的是,到 2035 ...
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