什么叫光电二极管_什么叫光电二极管

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˙▽˙ 长鑫存储申请半导体结构及其制造方法专利,有利于提高光电二极管的...所述第一掺杂区和所述第二掺杂区共同构成光电二极管;其中,所述第二掺杂区包括底部、中部和顶部,所述中部的掺杂浓度小于所述底部的掺杂浓度和所述顶部的掺杂浓度。本公开实施例至少有利于改善光电二极管进行光生载流子传输时的光生载流子滞留的问题,以及利用包围第一掺杂...

三安光电:芜湖安瑞光电车灯业务正常有序推进金融界3月22日消息,有投资者在互动平台向三安光电提问:各位管理层好,根据公开信息,自2023年10月31日起,亚马逊美国站将不再允许销售发光二极管(LED)头灯改装套件,请问这个新规对贵公司未来在美国销售车灯有什么影响,公司打算如何应对,谢谢。公司回答表示:芜湖安瑞光电车灯...

(^人^) 光迅科技申请光电二极管及其制造方法专利金融界2023年12月26日消息,据国家知识产权局公告,武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“光电二极管及其制造方法“,公开号CN117293214A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本发明实施例提供光电二极管及其制造方法,所述光电二极管包括:衬底;N型电极接触层,位于所述衬...

光迅科技申请雪崩光电二极管专利,可以降低电容,提高带宽金融界2023年11月24日消息,据国家知识产权局公告,武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“一种雪崩光电二极管及其制作方法“,公开号CN117117012A,申请日期为2022年5月。专利摘要显示,本发明涉及芯片制造技术领域,尤其涉及一种雪崩光电二极管及其制作方法,该雪崩光电二...

●▂● 三星取得图像传感器专利,确保光电二极管的面积金融界2023年12月5日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“图像传感器“的专利,授权公告号CN108257988B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示,本公开提供了图像传感器。一种用于确保光电二极管的面积的图像传感器包括像素区域和邻近像素区域的晶体...

ˇ＾ˇ 华为公司申请光电放大电路和信号处理方法专利,实现光电二极管在回...华为技术有限公司申请一项名为“一种光电放大电路和信号处理方法“,公开号CN117176256A,申请日期为2022年5月。专利摘要显示,本申请提供了一种光电放大电路和信号处理方法,其中,该光电放大电路包括两个并联的第一光电二极管和第二光电二极管,采用Doherty电路结构,可以提...

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...传感器专利,实现布置在尺寸小于衍射极限区域中的三种超光电二极管每个像素可以包括:第一超光电二极管,吸收第一波段的光;第二超光电二极管,吸收第二波段的光;以及第三超光电二极管,吸收第三波段的光,其中,第一超光电二极管、第二超光电二极管和第三超光电二极管可以布置在尺寸小于衍射极限的区域中。布置在像素阵列的中心部分中的多个像素...

荣耀公司取得光电探测器、PPG传感器及电子设备专利,提高PPG传感...本申请实施例提供光电探测器、PPG传感器及电子设备。其中,光电探测器包括光电二极管,用于感测第一波段、第二波段和第三波段的光;至少一个第一滤光部,位于光电二极管上,用于透过第一波段和第二波段的光,并阻挡第三波段的光;以及至少一个第二滤光部,位于光电二极管上,用于透...

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TCL科技取得量子点专利,可有效提高量子点发光二极管的光电性能筛分后量子点,所述非溶性溶剂与所述第一溶剂互溶,且与所述有机配体互不相溶。本发明分离得到的量子点尺寸偏差最小可以控制在5%以内,从而获得尺寸均一的量子点材料;将所述尺寸均一的量子点作为量子点发光层材料,可有效提高量子点发光二极管的光电性能。本文源自金融界

乾照光电获得发明专利授权:“发光二极管的倒装芯片及其制造方法和...证券之星消息,根据企查查数据显示乾照光电(300102)新获得一项发明专利授权,专利名为“发光二极管的倒装芯片及其制造方法和蚀刻方法”,专利申请号为CN201810885637.1,授权日为2024年2月13日。专利摘要:本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法和蚀刻方法,其中所...