什么是inp_什么是input事件

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杭州泽达半导体取得种在砷化镓衬底上生长 InP 薄膜的方法专利金融界 2024 年 11 月 27 日消息,国家知识产权局信息显示,杭州泽达半导体有限公司取得一项名为“种在砷化镓衬底上生长 InP 薄膜的方法”的专利,授权公告号 CN 117810067 B,申请日期为 2022 年 9 月。

中锗科技取得一种InP晶体生长设备及InP晶体生长方法专利金融界2024年9月25日消息,国家知识产权局信息显示,中锗科技有限公司取得一项名为“一种InP晶体生长设备及InP晶体生长方法”的专利,授权公告号 CN 112725897 B,申请日期为2021年1月。

仕佳光子取得精确测量 InP 基激光器顶层厚度的专利,能够解决测量外延...金融界 2024 年 8 月 28 日消息,天眼查知识产权信息显示,河南仕佳光子科技股份有限公司取得一项名为“一种精确测量 InP 基激光器顶层厚度的方法“,授权公告号 CN114777695B,申请日期为 2022 年 4 月。专利摘要显示,本发明提出了一种精确测量 InP 基激光器顶层厚度的方法,用以解...

仕佳光子获得发明专利授权:“一种精确测量InP基激光器顶层厚度的...证券之星消息,根据天眼查APP数据显示仕佳光子(688313)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种精确测量InP基激光器顶层厚度的方法”,专利申请号为CN202210397678.2,授权日为2024年8月27日。专利摘要:本发明提出了一种精确测量InP基激光器顶层厚度的方法,用以解决测量外...

ˇ﹏ˇ 光库科技:在美国圣地亚哥会展中心联合举办“薄膜铌酸锂技术与应用...日本NTT的Yoshihiro Ogiso将会进行的演讲题为:超过 200 Gbaud 的高速 InP 调制器。请问董秘,公司的薄膜铌酸锂调制器的研究进展什么时候能在行业大会上公布分享成果?公司回答表示:公司与 HyperLight 于3月25日在美国圣地亚哥会展中心联合举办了“薄膜铌酸锂技术与应用”论坛...

河南省在国家支柱产业领域基础研究方向取得新突破相关成果以《调控电子注入和泄漏实现高效绿光InP基QD-LED》为题,在国际顶级期刊《自然》(Nature)发表。这也是我省高校首次作为第一通讯单位在该期刊发表研究成果。量子点发光二极管(QLED)是一种基于量子点的发光材料,与传统的液晶显示或LED显示技术相比,QLED技术的显...

⊙▂⊙ 仕佳光子:未参与氮化镓量子光源芯片研制,主要采用磷化铟材料生产...金融界4月30日消息,有投资者在互动平台向仕佳光子提问:董秘你好,科技日报:我国团队研制出氮化镓量子光源芯片。 贵公司是否参与研制,是否有相关研发?谢谢。公司回答表示:公司目前未参与氮化镓量子光源芯片的研制,公司主要采用InP(磷化铟)材料生产激光器芯片。本文源自金融界...

华工科技:积极布局硅基光电子及量子点激光器等新型材料方向金融界4月28日消息,有投资者在互动平台向华工科技提问:请问公司华工正源是否有半导体量子点激光器芯片生产线。公司回答表示:公司围绕当前InP(磷化铟)、GaAs(砷化镓)化合物材料,积极布局硅基光电子、铌酸锂、量子点激光器等新型材料方向,自主研发并行光技术,着力于打造全球...

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